• 头条北京交大邵天骢讲师:碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法
    2022-05-24 作者:邵天骢  |  来源:《电气技术》杂志社  |  点击率:
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    导语2022年4月10日,中国电工技术学会第22期青年云沙龙在线上召开,本期云沙龙主题为“先进电力电子变换技术与应用”。北京交通大学邵天骢讲师应邀就“碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法”作报告。现将邵天骢讲师的报告分享给各位读者,以期促进本领域的学术交流和技术进步。

    北京交大邵天骢讲师:碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法

     

    专家简介

    邵天骢,北京交通大学电气工程学院讲师。在SCI期刊和国际会议发表论文20余篇,申请授权发明专利10余项。担任IEEE TPEL, IEEE TIE等多个国际期刊审稿人。获第十四届中国高校电力电子与电力传动学术年会优秀论文奖。主要研究方向:宽禁带器件有源驱动、新型拓扑及控制方法。

    报告简要

    邵天骢讲师分享了碳化硅栅极振荡的负反馈抑制方法的报告,针对器件高速开关动作过程中栅极路径,分析脉冲电压、电流干扰,提出了一种基于跨导增益的栅极负反馈控制方法,有效抑制了开关过程中栅极振荡。

    (1)在负反馈控制机制的基础上,提出了一种利用P沟道辅助MOSFET和一个辅助电容以及驱动电阻的负反馈有源驱动(Negative Feedback Active Gate Drive, NFAGD),用于器件快速开关过程中的串扰和栅极寄生振荡抑制;

    (2)所提NFAGD通过反馈控制回路,控制栅极电压跟踪驱动参考电压,反馈机制将减弱干扰,降低感应产生的串扰和寄生振荡;

    (3)与传统驱动相同,NFAGD可以控制栅压跟踪驱动参考电压,从而控制MOSFET的开通和关断;

    (4)与传统驱动相同,NFAGD驱动的SiC MOSFET,开关速度可以根据设计的时间常数灵活变化;

    (5)与传统的栅极驱动方式(WOS、PS、AMC)相比,在测试的工况下,提出的NFAGD提高了整体开关性能,并使感应出的栅压扰动减小。

    北京交大邵天骢讲师:碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法

     

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